[发明专利]动态随机存取存储器装置及其制造方法有效
| 申请号： | 202010138226.3 | 申请日： | 2020-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113345896B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 朴哲秀;陈明堂 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H10N97/00 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;汤在彦 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种动态随机存取存储器装置及其制造方法。此动态随机存取存储器装置包括层间介电层及多个电容单元形成于该基板上。层间介电层具有多个电容单元容置通孔且包括依序形成于基板上的第一支撑层、复合介电层及第二支撑层。复合介电层包括交替地堆叠的至少一第一绝缘层及至少一第二绝缘层。各电容单元容置通孔在第二绝缘层中形成第一开口，且在第一绝缘层中形成与第一开口相通的第二开口。第二开口的宽度大于第一开口的宽度。电容单元形成于电容单元容置通孔中。电容单元的顶部高于层间介电层的顶表面，且定义出凹陷区。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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