[发明专利]石墨烯等离激元多频带吸收器及其制备方法有效
申请号: | 202010135101.5 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN111653635B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 刘正奇;周进;刘桂强;刘晓山;刘木林;付国兰 | 申请(专利权)人: | 江西师范大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人: | 张建新 |
地址: | 330000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明公开了石墨烯等离激元多频带吸收器及其制备方法,属于光电材料领域。所述吸收器由下及上依次设有金属衬底层和单层石墨烯,所述金属衬底上表面分布有倾斜空气槽阵列,形成一维金属栅结构。金属衬底上的倾斜空气槽阵列产生了高度集中的等离子体场,同时增强了石墨烯场与电磁波的耦合效应,形成了多波段超窄的完美光吸收。这种多频带吸收器的石墨烯层是由完整的单层石墨烯组成,结构简单易于制造,红外波段光谱可调谐,结构尺寸小,易于集成,可广泛应用于光电传感和光电调控领域。 | ||
搜索关键词: | 石墨 离激元多 频带 吸收 及其 制备 方法 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的