[发明专利]石墨烯等离激元多频带吸收器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202010135101.5 申请日: 2020-03-02
公开(公告)号: CN111653635B 公开(公告)日: 2023-05-05
发明(设计)人: 刘正奇;周进;刘桂强;刘晓山;刘木林;付国兰 申请(专利权)人: 江西师范大学
主分类号: H01L31/0232 分类号: H01L31/0232;H01L31/18
代理公司: 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 代理人: 张建新
地址: 330000 *** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 石墨 离激元多 频带 吸收 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:包括金属衬底和石墨烯层,所述石墨烯层与所述金属衬底连接;所述金属衬底上分布有倾斜空气槽阵列,形成一维金属栅结构;所述倾斜空气槽阵列由倾斜空气槽按周期排列而成,其周期为800纳米;空气槽的宽和高分别是100纳米和300纳米;空气槽的倾斜角度为45o;所述金属衬底的厚度为400纳米。

2.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:所述石墨烯层为单层完整的石墨烯。

3.根据权利要求2所述的石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:所述金属衬底的材料为金。

4.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元多频带吸收器的制备方法,包括以下步骤:

步骤1、提供金属衬底和硅片;

步骤2、运用刻蚀技术,在金属衬底上表面刻蚀出倾斜空气槽阵列;

步骤3、在硅片上利用化学气相沉积法制造一层石墨烯;

步骤4、将步骤3制造的石墨烯转移到步骤2的金属衬底上表面,得到石墨烯等离激元多频带吸收器。

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