[发明专利]石墨烯等离激元多频带吸收器及其制备方法有效
申请号: | 202010135101.5 | 申请日: | 2020-03-02 |
公开(公告)号: | CN111653635B | 公开(公告)日: | 2023-05-05 |
发明(设计)人: | 刘正奇;周进;刘桂强;刘晓山;刘木林;付国兰 | 申请(专利权)人: | 江西师范大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 南昌华成联合知识产权代理事务所(普通合伙) 36126 | 代理人: | 张建新 |
地址: | 330000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨 离激元多 频带 吸收 及其 制备 方法 | ||
1.一种石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:包括金属衬底和石墨烯层,所述石墨烯层与所述金属衬底连接;所述金属衬底上分布有倾斜空气槽阵列,形成一维金属栅结构;所述倾斜空气槽阵列由倾斜空气槽按周期排列而成,其周期为800纳米;空气槽的宽和高分别是100纳米和300纳米;空气槽的倾斜角度为45o;所述金属衬底的厚度为400纳米。
2.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:所述石墨烯层为单层完整的石墨烯。
3.根据权利要求2所述的石墨烯等离激元多频带吸收器,其特征在于:所述金属衬底的材料为金。
4.根据权利要求1所述的石墨烯等离激元多频带吸收器的制备方法,包括以下步骤:
步骤1、提供金属衬底和硅片;
步骤2、运用刻蚀技术,在金属衬底上表面刻蚀出倾斜空气槽阵列;
步骤3、在硅片上利用化学气相沉积法制造一层石墨烯;
步骤4、将步骤3制造的石墨烯转移到步骤2的金属衬底上表面,得到石墨烯等离激元多频带吸收器。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的