[发明专利]相变存储器在审
| 申请号： | 202010123510.3 | 申请日： | 2020-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113054097A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 薛恒;王琳 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供一种相变存储器及其形成方法。所述相变存储器包括：衬底；第一介电层，位于所述衬底上方；底部电极，延伸穿过所述第一介电层；相变层，位于所述底部电极上方；以及顶部电极，位于所述相变层上方。所述相变层包括：延伸到所述底部电极中的第一部分、以及位于所述第一部分及所述第一介电层上方的第二部分。所述第一部分的宽度随着所述第一部分朝向所述衬底延伸而减小。所述第二部分具有第一宽度。所述顶部电极具有所述第一宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 | ||
【主权项】：
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