[发明专利]一种自动脱料装置及脱料方法在审
申请号: | 202010112861.4 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111293059A | 公开(公告)日: | 2020-06-16 |
发明(设计)人: | 刘剑;汤开荣;樊增勇;许兵;刘睿明;叶川 | 申请(专利权)人: | 成都先进功率半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H05F3/00;H05F3/06 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 张立刚 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种自动脱料装置及脱料方法,包括XYZ三轴运动机构和超声破碎仪,所述XYZ三轴运动机构设于工作台上,所述超声破碎仪的换能器设置在XYZ三轴运动机构的Z轴上,用于带动换能器靠近或远离工作台,还包括信息采集设备和除静电设备,所述信息采集设备用于采集产品随工单及UV膜上的产品信息,所述除静电设备用于消除脱料时产生的静电。本发明通过超声换能器与UV膜背面接触并产生冲击力,使粘在UV膜上的晶粒冲击脱落,该装置采用超声自动脱料,与传统人工脱料相比,具有劳动强度小、脱料力度一致,且无静电伤害产品,同时信息采集设备可以采集产品随工单及UV膜上的产品信息进行比对,不存在错混料的情况。 | ||
搜索关键词: | 一种 自动 装置 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造