[发明专利]一种法布罗共振近红外热电子光电探测器及其制备方法有效
申请号: | 202010110646.0 | 申请日: | 2020-02-24 |
公开(公告)号: | CN111223957B | 公开(公告)日: | 2023-03-24 |
发明(设计)人: | 王志明;朱奕松;余鹏;马翠苹 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | H01L31/108 | 分类号: | H01L31/108;H01L31/0232;H01L31/18 |
代理公司: | 成都市集智汇华知识产权代理事务所(普通合伙) 51237 | 代理人: | 李华;温黎娟 |
地址: | 610054 四川省成*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明公开了一种法布罗共振近红外热电子光电探测器及其制备方法,包括依次层叠的基底层、底层反射镜层、电介质层、顶层反射镜层;所述电介质层上表面、顶层反射镜层侧面设置有对电极层;所述底层反射镜层和顶层反射镜层的材质为金;所述电介质层的材质为二硫化钼;所述对电极层的材质为氧化铟锡。该光电探测器探测波段可通过改变电介质层的厚度进行调控,高折射率的二硫化钼的使用能有效地降低探测器的纵向尺寸并实现多波段光电响应,进而提升了热电子探测器在超紧凑光芯片以及多光谱成像领域的应用价值,本发明的光电探测器具有大面积、低成本制备的特点,由于金与二硫化钼所形成的肖特基势垒较低,可实现近红外任意波段的热电子光电响应。 | ||
搜索关键词: | 一种 法布罗 共振 红外 电子 光电 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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