[发明专利]一种二硒化铬二维材料的制备和应用

摘要

本发明涉及一种二维材料制备领域，具体公开了一种CrSe2二维材料的制备方法，CrCl3、Se粉经加热挥发，并在载气作用以及700‑720℃的沉积温度下生长在300nm‑SiO2/Si以及WSe2基底表面，制得所述的CrSe2二维材料；所述的载气为保护气和H2的混合气氛，其中，保护气的流量为50～150sccm；H2的流量为1～2sccm。本发明还包括采用所述的制备方法制得的CrSe2二维材料具有磁性。本发明首次在WSe2基底上成功合成出了超薄CrSe2二维材料，并发现相较之于300nm‑SiO2/Si基底，CrSe2二维材料能在WSe2基底上生长得更薄，且通过大量研究，获得了制得结晶度高的CrSe2二维材料。