[发明专利]一种发光二极管及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202010096349.5 申请日: 2020-02-17
公开(公告)号: CN111599928A 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 申怀彬;巴国航;桂志祥;高岩;杜祖亮 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 刘潇
地址: 475001*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明涉及发光二极管技术领域,尤其涉及一种发光二极管及其制备方法。本发明通过选择梯度合金核壳结构量子点作为发光层,通过对QLED中的发光层厚度和排布精确调控实现了无效率滚降的QLEDs的构筑,解决了以往所有QLED中存在的器件外量子效率随着电流密度和亮度增加发生效率滚降的难题。根据实施例的记载,本发明提供的发光二极管在亮度200000cd/m2以内和电流密度为500mA/cm2以内,效率可以保持在20%左右,效率偏差不超过5%。
搜索关键词: 一种 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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