[发明专利]一种近零膨胀特性的C/SiC结构材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010095425.0 | 申请日： | 2020-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN111217616B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 范晓孟;赵东林;陈超;殷小玮;党潇琳 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/622;C04B41/87 |
| 代理公司： | 西安凯多思知识产权代理事务所(普通合伙) 61290 | 代理人： | 王鲜凯 |
| 地址： | 710072 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种近零膨胀特性的C/SiC结构材料的制备方法，将连续炭纤维制备成纤维预制体，其纤维体积分数≥40％，通过化学气相渗透(CVI)工艺在纤维束丝表面制备热解碳界面层并进行高温处理，采用化学气相渗透工艺(CVI)在界面相表面沉积13～18％体积分数的碳化硅，使用浆料渗透结合反应熔体渗透工艺(RMI)迅速制备多相陶瓷基体，最后通过化学气相沉积(CVD)工艺制备碳化硅涂层进行表面封填。优点：(1)大幅度降低了现有陶瓷基复合材料的线膨胀系数，由本方法制备的陶瓷基复合材料线膨胀系数接近于零(小于1×10 |
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| 搜索关键词： | 一种 膨胀 特性 sic 结构 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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