[发明专利]相变化存储器及其制造方法在审
| 申请号： | 202010093033.0 | 申请日： | 2020-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN113270545A | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 刘峻志;廖昱程;李承翰;邱青松 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技股份有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;铨芯科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种相变化存储器，包含下电极、加热器、相变化层以及上电极。下电极包含电性接触的导电芯层以及热阻层，且热阻层围绕导电芯层的外侧面周围。加热器耦接于下电极，相变化层耦接于加热器，且上电极耦接于相变化层。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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