[发明专利]蚀刻方法在审
| 申请号： | 202010081380.1 | 申请日： | 2020-02-06 |
| 公开（公告）号： | CN111564366A | 公开（公告）日： | 2020-08-21 |
| 发明（设计）人： | 松崎荣 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/263 | 分类号： | H01L21/263;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 乔婉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供蚀刻方法，能够准确且容易地检测被加工物的金属薄膜的一部分被去除规定的厚度的时机。该蚀刻方法通过蚀刻将设置有第1导电层的被加工物的第1导电层的一部分去除规定的厚度，其中，该蚀刻方法具有如下的步骤：准备步骤，准备具有基材、第2导电层以及一对导线部的试验片，该第2导电层设置于基材上并具有与规定的厚度对应的厚度，该一对导线部分别连接于第2导电层；蚀刻步骤，通过蚀刻将位于一对导线部间的第2导电层的一部分去除规定的厚度，并且将被加工物的第1导电层的一部分去除；以及检测步骤，根据一对导线部间的电阻，将第2导电层的一部分被去除的时机检测为第1导电层被去除规定的厚度的时机。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
