[发明专利]一种高导电铜/石墨烯复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 202010065943.8 | 申请日： | 2020-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN111139453B | 公开（公告）日： | 2022-11-15 |
| 发明（设计）人： | 左婷婷;高召顺;肖立业;薛江丽;茹亚东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | C23C16/26 | 分类号： | C23C16/26;B22F1/12;B22F3/14;B22F3/105 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 | 代理人： | 关玲 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种高导电铜/石墨烯复合材料的制备方法，采用液态碳源在铜粉表面原位生长石墨烯，实现石墨烯在铜表面的均匀分散；利用真空热压烧结或放电等离子烧结法制备铜/石墨烯复合块体材料。本发明提供的铜/石墨烯制备方法简单可行，易于生成，制备得到的复合材料成分均匀、质量轻、电导率高，在电工材料领域具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 导电 石墨 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
