[发明专利]一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202010059164.7 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111384218B | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 姜明明;唐楷;阚彩侠;刘洋;马琨傑 | 申请（专利权）人： | 南京航空航天大学 |
| 主分类号： | H01L33/26 | 分类号： | H01L33/26;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 210016 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种ZnO/InGaN异质结发光二极管及其制备方法，该发光二极管包括p‑InGaN衬底、ZnO:Ga微米线，p‑InGaN衬底上制备有合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线紧贴在p‑InGaN衬底上，且不接触合金薄膜电极，ZnO:Ga微米线与p‑InGaN衬底构成n‑ZnO:Ga/p‑InGaN异质结构，ZnO:Ga微米线远离合金薄膜电极的一端附着有Ag薄膜电极；该发光二极管的制备方法包括以下步骤：(S1)在p‑InGaN衬底上沉积合金薄膜电极；(S2)在n‑ZnO:Ga微米线一端的侧面上沉积Ag薄膜电极；(S3)将镀有Ag薄膜电极的单根n‑ZnO:Ga微米线的面向上紧贴在p‑InGaN衬底上，确保n‑ZnO:Ga微米线不和合金薄膜电极接触，即得到ZnO/InGaN异质结发光二极管。该发光二极管能够发出高效率高强度的黄绿光。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno ingan 结发 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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