[发明专利]集成化自校准辐射功率传感芯片及辐射功率测量方法有效
| 申请号： | 202010058836.2 | 申请日： | 2020-01-19 |
| 公开（公告）号： | CN111239479B | 公开（公告）日： | 2022-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王雪深;陈建;李劲劲;孙青;王仕建;钟青;徐骁龙;钟源 | 申请（专利权）人： | 中国计量科学研究院 |
| 主分类号： | G01R21/02 | 分类号： | G01R21/02;G01R35/00 |
| 代理公司： | 苏州知途知识产权代理事务所(普通合伙) 32299 | 代理人： | 马刚强 |
| 地址： | 100020 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种集成化自校准辐射功率传感芯片，增加薄膜金属层，薄膜金属层能够将吸收层吸收的辐射功率带来的温度变化转化为电阻变化，通过导电电极测量电阻可以实现辐射功率传感。因此，通过测量薄膜金属层的电阻值可以与热电堆层测得的电压值两种方式所得到的辐射功率进行相互检验，同时向薄膜金属层输入电流，薄膜金属层发热加热热电堆层的热端，通过该热量模拟辐射功率引起的加热，可以实现对传感芯片的校准。 | ||
| 搜索关键词： | 集成化 校准 辐射 功率 传感 芯片 测量方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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