[发明专利]一种法拉第屏蔽反应腔室

摘要

本发明涉及半导体制造领域，特别涉及一种法拉第屏蔽反应腔室。包括腔体顶盖、顶盖密封圈、石英管、电感支撑体、腔体密封圈、放电线圈、腔体密封盖、离子聚焦圈，还包括气体分散盘和线圈支架；电感支撑体套在石英管外，石英管上端通过顶盖密封圈与腔体顶盖密封固定连接，气体分散盘安装在腔体顶盖轴心下方，石英管下端通过腔体密封圈与腔体密封盖密封固定连接，离子聚焦圈安装在腔体密封盖下方，电感支撑体一周安装有线圈支架，线圈支架外缠绕有放电线圈。本发明提供的反应腔室，其可以避免反应腔体与外侧的放电线圈相接触造成短路，可以均匀快速地产生所需的等离子体，且结构简单。