[发明专利]一种LPDDR基板设计方法、LPDDR基板和电子设备有效

专利信息
申请号: 202010056038.6 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111246669B 公开(公告)日: 2021-07-30
发明(设计)人: 李虎;谭少鹏 申请(专利权)人: 深圳市德明利技术股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/02;H05K3/18
代理公司: 深圳市道勤知酷知识产权代理事务所(普通合伙) 44439 代理人: 何兵;饶盛添
地址: 518000 广东省深圳市福田区梅林街道梅都社*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明揭示了一种LPDDR基板设计方法、LPDDR基板和电子设备其中,一种LPDDR基板设计方法,包括:在LPDDR基板上确定芯片封装区;在芯片封装区两端的相邻区域分别设置有第一蚀刻区和第二蚀刻区,其中,第一蚀刻区和第二蚀刻区均用于设置第一电镀引线,第一电镀引线与LPDDR基板上的待电镀的电路网络电连接。本设计方法电镀引线蚀刻区域集中,后期检查方便,几乎没有残留引线线尾,很好地解决了传统基板设计造成的弊端,满足了LPDDR基板的性能要求和美观要求。
搜索关键词: 一种 lpddr 设计 方法 电子设备
【主权项】:
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