[发明专利]一种微米级多孔空心硅球的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010055650.1 申请日: 2020-01-17
公开(公告)号: CN111232985B 公开(公告)日: 2023-04-11
发明(设计)人: 郭玉忠;任晓;黄瑞安 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: C01B33/023 分类号: C01B33/023;H01M4/38;H01M10/0525
代理公司: 昆明隆合知识产权代理事务所(普通合伙) 53220 代理人: 龙燕
地址: 650093 云*** 国省代码: 云南;53
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摘要: 发明公开一种微米级多孔空心硅球的制备方法,属于微纳米球状材料制备技术领域。具体包括如下步骤:首先将镁粉置于3‑巯丙基三乙氧基硅烷的无水乙醇溶液中,磁力搅拌,离心干燥;将改性后的镁粉置于去离子水、无水乙醇以及氨水的混合溶液中,磁力搅拌,加入正硅酸乙酯,连续磁力搅拌,抽滤干燥得到预处理后的镁粉;将预处理的镁粉置于去离子水和无水乙醇的混合溶液中,向其中连续滴加氨水和正硅酸乙酯,持续磁力搅拌,最后经过抽滤干燥得到镁粉包裹二氧化硅微球粉末;将得到的粉末、酸蚀、干燥等步骤处理后到多孔空心硅球。本发明制备得到多孔空心结构的硅,为之后在硅基锂离子电池的应用时的出现的体积膨胀效应提供一个内部缓冲空间,减少硅颗粒膨胀的几率,提高电池的循环稳定性。
搜索关键词: 一种 微米 多孔 空心 制备 方法
【主权项】:
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