[发明专利]同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法在审
| 申请号： | 202010052233.1 | 申请日： | 2020-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN111223968A | 公开（公告）日： | 2020-06-02 |
| 发明（设计）人： | 苗振林 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/08;H01L33/32;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京晟睿智杰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人： | 于淼 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开同一外延片上实现不同发光波长的LED外延生长方法，包括：在衬底上制备第一光刻版套刻对位图形；在衬底上依次生长GaN或AlN成核层、非掺杂的GaN缓冲层和掺Si的n型GaN层；沉积掩膜薄膜层；利用第二光刻版光刻、刻蚀露出第二光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W1的有源区发光层；沉积掩膜薄膜层；利用第三光刻版光刻、刻蚀露出第三光刻版中标定区域下面的n型GaN层；生长发光波长为W2的有源区发光层；重复交替沉积掩膜薄膜、生长不同发光波长的有源区发光层，得到不同发光波长的外延层区域；生长p型GaN层。本申请实现了同一外延片上多种发光波长的可控LED外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | 同一 外延 实现 不同 发光 波长 led 生长 方法 | ||
【主权项】：
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