[发明专利]阵列基板及其制备方法在审
| 申请号： | 202010045338.4 | 申请日： | 2020-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN111244108A | 公开（公告）日： | 2020-06-05 |
| 发明（设计）人： | 孙正娟 | 申请（专利权）人： | TCL华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/417;H01L29/45;H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 杨艇要 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阵列基板及其制备方法，所述阵列基板包括：基板；以及阵列层，设于所述基板一侧的表面；所述阵列层包括源漏电极层；其中，所述源漏电极层包括：第一金属层；以及第二金属层，设于所述第一金属层远离所述基板一侧的表面。本发明的技术效果在于，源漏电极层采用两层金属层叠层设计，提高阵列基板的良率，同时，减少一层金属层的设置，减少金属材料的使用量，节省阵列基板的生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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