[发明专利]一种紫外LED外延结构及其生长方法有效

专利信息
申请号: 202010043536.7 申请日: 2020-01-15
公开(公告)号: CN111244237B 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 康建;蔡武;马刚;米亭亭;林秀娟;陈向东;梁旭东 申请(专利权)人: 圆融光电科技股份有限公司
主分类号: H01L33/06 分类号: H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 黄健;臧建明
地址: 243000 安徽省马*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明提供一种紫外LED外延结构及其生长方法,该外延结构包括多量子阱结构,多量子阱结构由下至上依次包括电子减速层、前置发光层以及后置发光层;其中,电子减速层包括至少一组由势阱层InaGa1‑aN和势垒层AlxGa1‑xN层叠设置而成的第一量子阱结构,前置发光层包括至少一组由势阱层InbGa1‑b和势垒层AlyGa1‑yN层叠设置而成的第二量子阱结构,后置发光层包括至少一组由势阱层IncGa1‑cN和势垒层AlzGa1‑zN层叠设置而成的第三量子阱结构,0.01abc0.2,0.02zyx0.4。该紫外LED外延结构具有双波段,能够使LED直接发出两种波长的紫外光。
搜索关键词: 一种 紫外 led 外延 结构 及其 生长 方法
【主权项】:
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