[发明专利]一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法有效
| 申请号： | 202010040193.9 | 申请日： | 2020-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN111217320B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 刘静;伊福廷;王波;张天冲;梁小筱;颜铭铭;徐源泽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/04 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理有限公司 11200 | 代理人： | 司立彬 |
| 地址： | 100049 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在硅片表面生长硫化镉纳米线阵列的方法，其步骤包括：1)在硅片表面制备硅金字塔结构，然后在所述硅金字塔表面上制备硫化镉种子层；其中，硅金字塔结构用于增加硅表面与硫化镉种子层的粘附性；2)用水热法在硫化镉种子层上生长硫化镉纳米线，得到硫化镉纳米线阵列；3)用去离子水对步骤2)得到的硫化镉纳米线阵列进行漂洗、晾干。本发明首次通过引入金字塔结构，结合水热生长法，在硅片表面实现硫化镉纳米线的生长；金字塔的引入，增加了硅表面与硫化镉种子层的粘附性，相对于在硅片表面引入硅柱结构来说，方法简单，成本低，易于操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 表面 生长 硫化 纳米 阵列 方法 | ||
【主权项】：
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