[发明专利]一种金属羟基氧化物复合B-BiVO4

摘要

一种金属羟基氧化物复合B‑BiVO4光电阳极及其制备方法，属于电极材料制备领域。将纯BiVO4光电阳极浸泡在硼酸盐溶液中(表示B‑BiVO4)，在其表面上吸附[B(OH)4]‑配体作为钝化剂，提高光生载流子的分离效率并促进表面空穴的提取；然后，在经硼酸盐改性后的BiVO4光电阳极上原位生长助催化剂金属羟基氧化物(如羟基氧化铁、羟基氧化钴、羟基氧化镍等)，增加光电阳极表面活性位点，加速空穴在光电阳极与电解质界面的传输，从而提高BiVO4的光电水氧化性能。基于光生电荷的有效分离、空穴在光电阳极与电解质界面的快速传输，所制备的金属羟基氧化物复合B‑BiVO4光电阳极能够高效运用于光电化学水分解。