[发明专利]黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法有效
| 申请号： | 202010013321.0 | 申请日： | 2020-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN111192839B | 公开（公告）日： | 2023-05-12 |
| 发明（设计）人： | 商登辉;房迪;张超超;蔡景洋;聂平健;周东;周恒;田东;李阳;李洪秀;刘思奇;刘金丽 | 申请（专利权）人： | 贵州振华风光半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 贵阳中工知识产权代理事务所 52106 | 代理人： | 刘安宁 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 黑陶瓷低熔玻璃外壳集成电路内部水汽含量控制方法，该方法包括①根据水汽存在位置针对性地去除水汽，清洗后的管壳放入远红外烘干炉进行表面烘干；②在装结工序前进行矩阵排放至铝合金衬底托架或者不锈钢放盘中，放入真空烧焊设备反复抽真空、通氮气，然后进行预升温预热、预保温，再升温至除气温度、再保温、降温的工艺。③将半成品以矩阵排放方式放入真空烘箱烘烤；④在完成键合后将产品放入真空烘箱再次烘烤。本发明工艺简单、定位准确、有效的缩短烘烤时间，减小应力积累，创造性地将物理方法和材料特性进行耦合，通过真空压力差和材料结构软化有效去除常用工艺无法去除的材料内部包裹性水汽。该方法适用于各类黑陶瓷低熔玻璃外壳封装的器件。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 玻璃 外壳 集成电路 内部 水汽 含量 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
