[发明专利]SP3在审

申请号：	201980047584.9	申请日：	2019-05-31
公开（公告）号：	CN112771003A	公开（公告）日：	2021-05-07
发明（设计）人：	法布里斯·皮亚扎	申请（专利权）人：	马德雷与马埃斯特拉天主教教皇大学
主分类号：	C01B32/194	分类号：	C01B32/194;C01B32/25
代理公司：	北京集佳知识产权代理有限公司 11227	代理人：	蔡胜有;苏虹
地址：	多米尼加共和***	国省代码：	暂无信息
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摘要：	本发明提供了超薄的结晶的sp3键合的碳片，包括所述超薄的结晶的sp3键合的碳片的堆叠结构、异质结构和复合材料，以及制造超薄的结晶的sp3键合的碳片的方法。所述方法包括以下步骤：提供少层石墨烯起始材料，在包括真空室和进料气入口的化学气相沉积室内将少层石墨烯起始材料设置在基底上，以及在325℃或更低的基底温度和100托或更低的压力下使包含氢的进料气流过基底以将少层石墨烯起始材料至少部分地转化成超薄的结晶的sp3键合的碳片。根据本发明的方法是用于成功生产超薄的结晶的sp3键合的碳片(包括例如六方碳片和金刚石片)的第一种方法。有利地，所述方法还可以是相对低成本的、低浪费的，可以避免使用具有多组件的复杂设备并且可以允许在温和的过程条件下运行。
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摘要：本发明提供了超薄的结晶的sp3键合的碳片，包括所述超薄的结晶的sp3键合的碳片的堆叠结构、异质结构和复合材料，以及制造超薄的结晶的sp3键合的碳片的方法。所述方法包括以下步骤：提供少层石墨烯起始材料，在包括真空室和进料气入口的化学气相沉积室内将少层石墨烯起始材料设置在基底上，以及在325℃或更低的基底温度和100托或更低的压力下使包含氢的进料气流过基底以将少层石墨烯起始材料至少部分地转化成超薄的结晶的sp3键合的碳片。根据本发明的方法是用于成功生产超薄的结晶的sp3键合的碳片(包括例如六方碳片和金刚石片)的第一种方法。有利地，所述方法还可以是相对低成本的、低浪费的，可以避免使用具有多组件的复杂设备并且可以允许在温和的过程条件下运行。

专利分类

C 化学；冶金

C01 无机化学
C01B 非金属元素；其化合物

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