[发明专利]导电性桥接型的存储器装置及其制造方法以及开关元件在审
| 申请号： | 201980032085.2 | 申请日： | 2019-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN112219275A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 伊藤敏幸;野上敏材;木下健太郎;森井茂树 | 申请（专利权）人： | 国立大学法人鸟取大学;长濑产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239;H01L27/105;H01L45/00;H01L49/00 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 卜劲鸿 |
| 地址： | 日本鸟取县鸟取市湖山町南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种即使绝缘体层使用氧化铝，工作电压也低且耐开关性也大的高性能的CB‑RAM。在导电性桥接型的存储器装置中，使浸入到绝缘体层3的细孔3a内的电解质层4为混合离子液体，该混合离子液体混合有溶剂化离子液体和黏性系数比该溶剂化离子液体的黏性系数小的离子液体即低黏度的离子液体。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 桥接型 存储器 装置 及其 制造 方法 以及 开关 元件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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