[实用新型]一种集成电路结构有效
| 申请号： | 201921177761.9 | 申请日： | 2019-07-24 |
| 公开（公告）号： | CN210200730U | 公开（公告）日： | 2020-03-27 |
| 发明（设计）人： | 殷慧萍;王聪;谢育桦;张永光;聂玉庆 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京华夏泰和知识产权代理有限公司 11662 | 代理人： | 孟德栋 |
| 地址： | 519070*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种集成电路结构，包括内核区，所述内核区每一侧排列设置有多个条形的I/O单元，所述I/O单元设置有焊盘区及I/O器件互连区；所述内核区为长方形时，所述内核区每一侧所述I/O单元的长度方向均与所述内核区长边方向垂直；所述内核区为正方形时，所述内核区每一侧所述I/O单元长度方向均朝向所述内核区，相邻两个所述I/O单元的焊盘区以所述相邻两个I/O单元的中心连线对称设置，其通过改变内核区周侧的I/O单元形状及I/O器件互连区与焊盘区之间的位置关系，解决焊盘限制及内核区域限制问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
