[实用新型]半导体元件

摘要

本实用新型公开了一种半导体元件，包括：包括多个有源区的半导体衬底，第一凹槽形成在有源区中并延伸到两侧的浅沟槽隔离中；各位线包括由底部导电材料层和顶部导电材料层形成的叠加结构；在第一凹槽中形成有由底部导电材料层组成的第一接触插塞，第一接触插塞的两侧面由位线的两侧面向下延伸而成；在第一接触插塞的第一侧的第一凹槽中形成有第一子凹槽，在第一子凹槽的底部的有源区中分别形成有第三子凹槽，第三子凹槽的底部表面低于有源区的顶部表面。本实用新型公开了一种半导体元件的制造方法。本实用新型能防止位线接触插塞的导电材料层刻蚀不干净所产生的漏电，提高产品的良率。

主权项

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：/n半导体衬底，包括多个有源区，在所述有源区之间设置有浅沟槽隔离；/n第一凹槽形成在所述有源区中并延伸到两侧的所述浅沟槽隔离中；/n各位线包括由底部导电材料层和顶部导电材料层形成的叠加结构；/n在所述第一凹槽中形成有由底部导电材料层组成的第一接触插塞，所述第一接触插塞的顶部连接到所述位线；所述第一接触插塞的底部表面接触所述有源区的顶部表面，所述有源区的顶部表面的宽度大于所述第一接触插塞的底部表面的宽度；所述第一接触插塞的所述底部导电材料层和所述位线的所述底部导电材料层为同一层，所述第一接触插塞的两侧面由所述位线的两侧面向下延伸而成；/n在所述第一接触插塞的第一侧的所述第一凹槽中形成有第一子凹槽，在所述第一子凹槽的底部的所述有源区中形成有第三子凹槽，所述第三子凹槽的底部表面低于所述有源区的顶部表面。/n