[实用新型]一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统有效
申请号: | 201920331679.0 | 申请日: | 2019-03-15 |
公开(公告)号: | CN209906877U | 公开(公告)日: | 2020-01-07 |
发明(设计)人: | 薛喆;张韬;孙方宏 | 申请(专利权)人: | 张家港市微纳新材料科技有限公司 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/455;C30B25/00;C30B29/04 |
代理公司: | 32358 南京创略知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人: | 闫方圆 |
地址: | 215600 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统,包括掺硼子系统和与其相连的反应子系统,所述掺硼子系统包括进气装置和鼓泡装置,所述鼓泡装置安装在进气装置上;氢气进入进气装置后被分成两路,一路直接进入反应子系统;另一路则作为载气,先进入鼓泡装置鼓泡,将丙酮与硼酸三甲脂混合溶液以蒸汽形式带出,再经流量计、针型阀与直通通路的氢气汇合,进入反子系统。相对于传统的硼烷掺杂而言,本实用新型操作简单、安全,且可以通过流量计对气体流量进行精确设定,易于控制掺杂浓度,导入的氧元素亦具有提高生长速率、改善金刚石质量的作用。 | ||
搜索关键词: | 鼓泡装置 进气装置 流量计 本实用新型 反应子系统 氢气 掺硼 硼酸三甲脂 金刚石 单晶颗粒 混合溶液 硼烷掺杂 气体流量 蒸汽形式 直通通路 制备系统 传统的 氧元素 针型阀 丙酮 鼓泡 两路 载气 汇合 掺杂 生长 安全 | ||
【主权项】:
1.一种硼掺CVD金刚石单晶颗粒的制备系统,其特征在于:包括掺硼子系统(1)和与其相连的反应子系统(2);所述掺硼子系统(1)包括进气装置(11)和鼓泡装置(12),所述鼓泡装置(12)安装在进气装置(11)上;所述反应子系统(2)包括真空装置(21)、布气装置(22)、冷却装置(23)以及加热装置(24),所述真空装置(21)包括真空室(211)和真空气压控制器(212),所述布气装置(22)和加热装置(24)均位于真空室(211)内,所述冷却装置(23)位于真空室(211)的下部用于冷却放置在其上的衬底(3)。/n
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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