[发明专利]基于单晶硅纳米膜/石墨烯的柔性光电探测器及制备方法有效
申请号: | 201911405518.2 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN111180540B | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 吕朝锋;陆明;徐杨;茅仁伟;刘粒祥 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | H01L31/0392 | 分类号: | H01L31/0392;H01L31/028;H01L31/0352;H01L31/108;H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 贾玉霞 |
地址: | 310058 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明公开一种基于单晶硅纳米膜/石墨烯的柔性光电探测器及制备方法,该光电探测器由聚酰亚胺衬底、金属互连导线、单晶硅纳米薄膜、单原子层石墨烯以及顶层聚酰亚胺组成。本发明基于体硅/石墨烯肖特基异质结光电探测器优异性能的基础上,将体硅减薄到纳米级尺度,使原本大而坚硬的固体硅变得薄而柔且可实现较大程度上的弯曲,经柔性封装材料聚酰亚胺封装后,在保留体硅/石墨烯异质结优异光电探测性能的基础上,还具有了超薄、柔性的优点,结合聚酰亚胺的高绝缘性和良好的生物相容性,大大拓宽了硅/石墨烯异质结光电探测器的应用领域,尤其是生物医学领域、可穿戴电子设备领域等。 | ||
搜索关键词: | 基于 单晶硅 纳米 石墨 柔性 光电 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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