[发明专利]刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法有效
| 申请号： | 201911352202.1 | 申请日： | 2019-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111128877B | 公开（公告）日： | 2022-08-23 |
| 发明（设计）人： | 罗传宝 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种刻蚀阻挡型阵列基板的制备方法，其包括：在衬底上制备栅极层、栅极绝缘层；在栅极绝缘层上依次沉积金属氧化物半导体膜和蚀刻阻挡膜；在刻蚀阻挡膜上形成光阻图案，光阻图案包括位于显示区的第一光阻和位于扇出区的第二光阻，第一光阻包括中间部和与中间部相连的侧部，侧部的厚度小于中间部的厚度；分别采用湿法刻蚀，将未被光阻保护的刻蚀阻挡膜和金属氧化物半导体膜去除；采用干法刻蚀，去除侧部，减薄中间部和第二光阻；采用湿法刻蚀，去除未被中间部保护的刻蚀阻挡膜；剥离掉剩余的光阻，得到图案化的有源层和蚀刻阻挡层；依次制备源漏极层、钝化层、像素电极层。节约了一道光罩制程，同时保护了有源层沟道区不受侵蚀及破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 阻挡 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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