[发明专利]逻辑电路的设计方法有效
| 申请号： | 201911305046.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111130529B | 公开（公告）日： | 2023-06-20 |
| 发明（设计）人： | 叶乐;王志轩;黄芊芊;王阳元;黄如 | 申请（专利权）人： | 杭州未名信科科技有限公司;浙江省北大信息技术高等研究院 |
| 主分类号： | H03K19/00 | 分类号： | H03K19/00;H03K19/094;H03K19/0944;H03K19/08;H03K19/20;H03K19/21 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种逻辑电路的设计方法、装置及存储介质，方法包括：设计并生成初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路；所述MOSFET‑TFET混合逻辑电路包括若干逻辑门；在所述初始的MOSFET‑TFET混合逻辑电路的串联支路中，用MOSFET替换第一类TFET；所述第一类TFET直接接地或电源且不与所述逻辑门的输出端直接连接。本申请的逻辑电路的设计方法，通过用MOSFET替换初始逻辑电路的串联支路中的第一类TFET，克服了TFET在串联支路中造成的电流衰减过大的缺陷，第一类TFET即直接接地或电源且不与逻辑门的输出端直接连接的TFET。 | ||
| 搜索关键词： | 逻辑电路 设计 方法 | ||
【主权项】：
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