[发明专利]NTO透明导电基板及其制备方法有效
| 申请号： | 201911303722.3 | 申请日： | 2019-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN111129174B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;王伟;周文彩;魏晓俊;齐帅;于浩;曾红杰;李一哲;张纲;张正 | 申请（专利权）人： | 中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 贺妮妮 |
| 地址： | 200063 上海市普*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种NTO透明导电基板及其制备方法，包括：透明支撑基底、增透层、阻隔层及NTO导电层，其中，增透层及阻隔层设置于透明支撑基底和NTO导电层之间。通过对氧化锡进行氮掺杂形成NTO导电层，提高氧化锡的导电性能；另外，NTO具有氧化锡质地硬且抗腐蚀能力强的优点，且不需要进行尾气处理，制备过程环保且经济；最后，于透明支撑基底及NTO导电层之间设置增透层及阻隔层，一方面阻隔层可有效阻隔透明支撑基底中的元素向NTO导电层扩散，通过阻隔层能有效保证NTO导电层的纯度，另一方面通过增透层与阻隔层之间的折射率匹配，可有效提高整个结构的透光性能。 | ||
| 搜索关键词： | nto 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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