[发明专利]NTO透明导电基板及其制备方法有效
申请号: | 201911303722.3 | 申请日: | 2019-12-17 |
公开(公告)号: | CN111129174B | 公开(公告)日: | 2022-06-28 |
发明(设计)人: | 彭寿;王伟;周文彩;魏晓俊;齐帅;于浩;曾红杰;李一哲;张纲;张正 | 申请(专利权)人: | 中国建材国际工程集团有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 贺妮妮 |
地址: | 200063 上海市普*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nto 透明 导电 及其 制备 方法 | ||
本发明提供一种NTO透明导电基板及其制备方法,包括:透明支撑基底、增透层、阻隔层及NTO导电层,其中,增透层及阻隔层设置于透明支撑基底和NTO导电层之间。通过对氧化锡进行氮掺杂形成NTO导电层,提高氧化锡的导电性能;另外,NTO具有氧化锡质地硬且抗腐蚀能力强的优点,且不需要进行尾气处理,制备过程环保且经济;最后,于透明支撑基底及NTO导电层之间设置增透层及阻隔层,一方面阻隔层可有效阻隔透明支撑基底中的元素向NTO导电层扩散,通过阻隔层能有效保证NTO导电层的纯度,另一方面通过增透层与阻隔层之间的折射率匹配,可有效提高整个结构的透光性能。
技术领域
本发明涉及透明导电基板领域,特别是涉及一种可用作电极材料的NTO透明导电基板及 其制备方法。
背景技术
具有高科技含量的碲化镉、铜铟镓硒等薄膜太阳能产线顺利建成并实现产业化。作为薄 膜太阳能电池的透光面及电极,TCO(Transparent Conductive Oxide)玻璃是薄膜太阳能电池 生产过程中必不可少的原材料。并且,TCO作为透明导电电极还在液晶显示器、光探测器、 平板显示器中有着非常广泛的应用。
目前市场上TCO主要有三种类型,分别是ITO(In2O3:Sn)、AZO(ZnO:Al)、FTO(SnO2:F)。然而,现有的透明导电材料存在着价格较高、大规模生产的成品率低、硬度及抗腐蚀能力较差、需要进行尾气处理等问题。
因此,本领域的技术人员致力于开发一种经济型、环境友好型透明导电基板,使其在降 低成本的同时减少对环境的污染。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种NTO透明导电基板及其制备 方法,用于解决现有技术中的透明导电基板的价格较高、硬度及抗腐蚀能力较差、需要进行 尾气处理等问题。
为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种NTO透明导电基板,所述导电基板至 少包括:
透明支撑基底、增透层、阻隔层及NTO导电层,其中,所述增透层及所述阻隔层设置于 所述透明支撑基底和所述NTO导电层之间。
可选地,所述NTO导电层为四方相晶体材料膜层。
可选地,所述透明支撑基底包括由玻璃基底、陶瓷基底及塑料基底构成群组中的一种或 两种以上形成的单层或叠层。
可选地,所述透明支撑基底为超白浮法玻璃。
可选地,所述增透层的材料包括由氧化锡(SnO2)、氧化钛(TiO2)、掺氟的氧化锡(SnO2: F)及掺氮的氧化锡(SnO2:N)构成群组中一种或者两种以上的混合物。
可选地,所述阻隔层的材料包括由氧化硅(SiO2)、氧化锗(GeO2)、氧化钛(TiO2)、氮化硅(Si2N3)、氮化锗(Ge2N3)及氮化钛(Ti2N3)构成群组中一种或者两种以上的混合物。
可选地,所述透明支撑基底的厚度介于0.5mm~10mm之间,所述增透层的厚度介于10nm~100nm之间,所述阻隔层的厚度介于10nm~100nm之间,所述NTO导电层的厚度介于50nm~1000nm之间。
本发明还提供一种NTO透明导电基板的制备方法,所述制备方法至少包括步骤:
S1:提供透明支撑基底;
S2:于所述透明支撑基底上形成增透层及阻隔层,其中,所述增透层形成于所述阻隔层 的上表面或所述阻隔层形成于所述增透层的上表面;
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