[发明专利]一种光罩修正方法及系统在审
申请号: | 201911171364.5 | 申请日: | 2019-11-26 |
公开(公告)号: | CN112946997A | 公开(公告)日: | 2021-06-11 |
发明(设计)人: | 侯力华 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/72 | 分类号: | G03F1/72;G03F1/84 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例涉及半导体领域,公开了一种光罩修正方法及系统。本发明中,根据待测光罩的规格参数获取与待测光罩对应的对照参数,对照参数为具有规格参数的标准光罩的目标特征尺寸信息;通过根据所述待测光罩的分析检测报告,解析出待测光罩的待测特征尺寸信息,与目标特征尺寸信息进行比较分析,使得在待测光罩投入产品制造之前,根据待测光罩的特征尺寸信息与标准光罩的特征尺寸信息之间的差异对该待测光罩进行修正,从而实现提前预防并降低该光罩存在的风险,达到提前预防的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 修正 方法 系统 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
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