[发明专利]一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器在审
| 申请号： | 201911089437.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN110718633A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 徐建龙;张景越;陈彤;王穗东;高旭 | 申请（专利权）人： | 苏州大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46 |
| 代理公司： | 32257 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 王玉仙 |
| 地址： | 215168 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜、电极层以及封装层；其中，所述钙钛矿‑碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。本发明的基于钙钛矿‑碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，利用碳纳米管的高载流子迁移率与宽谱吸收特性，将钙钛矿的吸收光谱拓宽至近红外范围，同时提升了钙钛矿薄膜结晶质量及载流子迁移率，克服了溶液法制备的多晶钙钛矿薄膜在近红外范围内吸收低与载流子迁移率低的关键应用瓶颈。本发明所述的钙钛矿‑碳纳米管体异质结结构可显著增加用于电荷分离的界面面积，使得光响应度得到了大幅度提升。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 钙钛矿 体异质结 载流子迁移率 宽谱 钙钛矿薄膜 光电探测器 薄膜 半导体性碳纳米管 溶液法制备 电荷分离 关键应用 光响应度 界面修饰 吸收光谱 吸收特性 依次层叠 栅介质层 电极层 封装层 衬底 多晶 瓶颈 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种基于钙钛矿-碳纳米管体异质结的宽谱光电探测器，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、栅介质层、界面修饰层、钙钛矿-碳纳米管体异质结光敏薄膜、电极层以及封装层；其中，所述钙钛矿-碳纳米管体异质结薄膜中的碳纳米管为半导体性碳纳米管。/n
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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