[发明专利]一种含羟基的3-异丙基异噁唑酮体系非线性光学晶体及其制法和用途在审
| 申请号： | 201911076395.2 | 申请日： | 2019-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN110747512A | 公开（公告）日： | 2020-02-04 |
| 发明（设计）人： | 张馨元;高明校;胡章贵;吴以成;王继扬 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | C30B29/54 | 分类号： | C30B29/54;C30B7/08;C30B7/06;G02F1/361 |
| 代理公司： | 12002 天津佳盟知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李益书 |
| 地址： | 300384 天津市西青*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含羟基的3‑异丙基异噁唑酮体系(C | ||
| 搜索关键词： | 非线性光学晶体 二次谐波发生器 非线性光学器件 太赫兹波发生器 光参量振荡器 上频率转换器 下频率转换器 对称中心 晶胞参数 正交晶系 空间群 异丙基 制法 唑酮 羟基 制备 | ||
【主权项】：
1.一种含羟基的3-异丙基异噁唑酮体系非线性光学晶体，化学式为C
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津理工大学，未经天津理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911076395.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：化合物单晶及其制备方法
- 下一篇：质子交换炉
- 同类专利
- 一种二维钙钛矿单晶材料及其制备方法-201810475149.3
- 方国家;姚方 - 武汉大学
- 2018-05-17 - 2020-02-14 - C30B29/54
- 本发明涉及一种二维钙钛矿单晶及其制备方法。所述的二维钙钛矿单晶材料的化学组成为A
- 一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法-201711415195.6
- 彭寿;汤永康;马立云;金良茂;甘治平;李刚 - 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司
- 2017-12-25 - 2020-02-14 - C30B29/54
- 本发明公开一种两步旋涂法制备单层胶体晶体的方法，包括以下步骤：S1、取玻璃基底，采用去离子水作为镀膜液体，通过旋涂法在玻璃基底表面制备一层水膜；S2、取微纳胶体粒子水乳液作为镀膜液体，将微纳胶体粒子水乳液滴加在水膜上，并进行第二次旋涂，使微纳胶体粒子水乳液扩散铺展在水膜表面，得到单层胶体晶体；步骤S1旋涂时，去离子水为连续滴加；步骤2旋涂时，微纳胶体粒子水乳液只在旋涂初始滴加一次；水膜表面为完全亲水与润湿的特性，使得微纳胶体粒子水乳液迅速铺展扩散，在旋涂离心力的作用下更加均匀地铺展，最终得到符合要求的单层胶体晶体；本方法操作简便，制备效率高，并且成本低下，极大地节省了原材料，并且最大限度地使原材料利用率达到100%，避免浪费。
- 化合物单晶及其制备方法-201911011075.9
- 陆明;李锡祯;欧霄 - 中山大学
- 2019-10-23 - 2020-02-04 - C30B29/54
- 本发明提供一种化合物单晶及其制备方法。所述化合物单晶的制备方法包括以下步骤：1)熔融化合物，获取过冷熔体，向所述过冷熔体中引入化合物目标晶型的晶种，或使所述过冷熔体自发成核，得化合物目标晶型的多晶样品；2)以0.1‑100℃/min的升温速率将所述化合物目标晶型的多晶样品升温至T
- 一种含羟基的3-异丙基异噁唑酮体系非线性光学晶体及其制法和用途-201911076395.2
- 张馨元;高明校;胡章贵;吴以成;王继扬 - 天津理工大学
- 2019-12-20 - 2020-02-04 - C30B29/54
- 一种含羟基的3‑异丙基异噁唑酮体系(C
- 一种新型可控有机晶体生长设备-201920006111.1
- 胡文平;汪涛;任晓辰;耿博文;赵生盛 - 天津大学
- 2019-01-02 - 2020-01-07 - C30B29/54
- 本实用新型公开了一种新型可控有机晶体生长设备，该设备包括基座板、电动平移台、升降台、俯仰台、刮臂、刮刀、散热底座、半导体电制冷片、导热片；散热底座固定设置在电动平移台的动作平台上，半导体电制冷片固定于散热底座上，导热片设置于半导体电制冷片上；升降台位于电动平移台的一侧并固定在基座板上，刮臂的一端固定安装在俯仰台的动作台上，刮臂的另一端安装刮刀。本设备可以调节基底与刮刀的间距，通过精确控温控制溶剂蒸发速率，通过电动平移台精确控制刮刀匀速刮涂有机溶液，从而实现大面积有机单晶的生长。本设备特别适用于高校、科研院所或者企业研发部门作为实验设备使用。
- 一种含羟基、甲基的3-异丙基异噁唑酮体系非线性光学晶体及其制法和用途-201911076099.2
- 张馨元;高明校;胡章贵;吴以成;王继扬 - 天津理工大学
- 2019-11-06 - 2020-01-03 - C30B29/54
- 一种含羟基、甲基的3‑异丙基异噁唑酮体系(C
- 一种制备有机半导体分子单晶或无定型物的方法-201911040491.1
- 王健君;范庆瑞;周昕;吕健勇 - 中国科学院化学研究所;中国科学院大学
- 2019-10-29 - 2019-12-27 - C30B29/54
- 本发明涉及单晶制备技术领域，具体是涉及一种制备有机半导体分子单晶或无定型物的方法。所述方法以溶液冻结诱导有机半导体分子的成核与结晶，在溶液的冻结过程中实现溶解的有机半导体分子的结晶，快速有效的制备有机半导体分子的单晶或无定型物。同时，解决传统有机半导体分子单晶制备与培养中难以结晶分子的单晶或无定型物制备问题。所述方法首次实现极低溶液浓度下有机半导体分子单晶或无定型物的获取；还解决了高浓度下由于有机半导体分子的聚集过快而导致的单晶形成不易控制、易形成多晶，孪晶等问题。所述方法适用范围广，对于现有的有机半导体分子均适用。
- 一种基于主动式微流控平台的CL-20的晶型控制方法-201910793520.5
- 朱朋;石锦宇;沈瑞琪;叶迎华;吴立志;张伟;胡艳 - 南京理工大学
- 2019-08-27 - 2019-12-20 - C30B29/54
- 本发明属于含能材料制备领域，具体涉及一种基于主动式微流控平台的CL‑20的晶型控制方法。主动式微流控平台包括振荡流驱动单元，稳流驱动单元，重结晶单元和样品收集单元；具体步骤如下：将非溶剂溶液置于密封罐中，将溶剂溶液置于稳定流驱动单元；设置重结晶温度和压力值，非溶剂向微混合器流动；设置稳定流驱动单元的参数，溶剂溶液向微混合器流动；将从微混合器流出的悬浊液收集至样品收集单元，进行洗涤、抽滤、干燥，获得CL‑20炸药颗粒；改变实验条件，重复以上步骤，直至获得不同晶体形貌的CL‑20炸药。本申请采用微流控平台制备CL‑20炸药，结构简单、能够实现小剂量的制备且实验条件容易调节，适用于CL‑20炸药晶型控制过程中的实验参数的优化和筛选。
- 一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法-201910732716.3
- 韩晓东;马林;严铮洸 - 北京工业大学
- 2019-08-09 - 2019-12-17 - C30B29/54
- 本发明提供一种降低形核数量的钙钛矿单晶生长方法。包括水浴条件下将第一金属化合物与第二卤素酸混合溶解，并添加第三有机分子化合物制备钙钛矿粉末，洗涤干燥。用极性溶剂溶解所制备的钙钛矿粉末，并添加聚乙二醇、聚丙二醇或聚乙烯醇等含氧基团聚合物混合搅拌，加热析出钙钛矿单晶。本发明中选择将聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸等含氧基团聚合物添加到有机溶剂中，有效降低了晶体生长过程的形核数量，进而得到大尺寸钙钛矿单晶。可以合成六种铅基有机无机钙钛矿单晶。合成方法操作简单，提高了原料的利用率，制备出的单晶尺寸大、结晶质量高、半导体性能好。为钙钛矿材料在太阳能电池、光电探测器，发光器件的运用提供基础。
- 一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法-201910732718.2
- 韩晓东;马林;严铮洸 - 北京工业大学
- 2019-08-09 - 2019-12-17 - C30B29/54
- 本发明提供一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶快速生长方法，通过调控原料卤素的比例调控钙钛矿材料的禁带宽度。通过合成得到卤素混合的钙钛矿粉末并溶解到有机溶剂中，通过添加聚乙二醇、聚丙二醇、聚乙烯醇或聚丙烯酸，低温加热生长出禁带宽度可调的卤素混合钙钛矿单晶。合成的碘/溴和溴/氯任意比例混合的铅基甲胺钙钛矿单晶大尺寸、形状规则、结晶性好。本发明可以任意调控铅基甲胺卤素钙钛矿单价，从1.51‑2.94eV禁带宽度任意调控。实验装置简单成本低，工艺简单可靠，所得单晶结晶性好。拓宽了钙钛矿单晶材料的种类。为在光电探测器和发光器件领域，寻找更优异性能的钙钛矿材料提供了新的材料基础。
- 四方平板状的(C-201910910356.1
- 马德伟 - 浙江工业大学
- 2019-09-25 - 2019-12-10 - C30B29/54
- 一种四方平板状的(C
- 专利分类
- 波长转换器件及其制造方法
- RbNaMgP<sub>2</sub>O<sub>7</sub>化合物、RbNaMgP<sub>2</sub>O<sub>7</sub>非线性光学晶体及其制法和用途
- CsLiCdP<sub>2</sub>O<sub>7</sub>化合物、CsLiCdP<sub>2</sub>O<sub>7</sub>非线性光学晶体及其制法和用途
- Bi<sub>3</sub>TeO<sub>6</sub>OH(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>化合物、Bi<sub>3</sub>TeO<sub>6</sub>OH(NO<sub>3</sub>)<sub>2</sub>非线性光学晶体及其制法和用途
- CsCdPO<sub>4</sub>化合物、CsCdPO<sub>4</sub>非线性光学晶体及其制法和用途
- 非线性激光器及非线性激光调制方法
- 一种BaHgSnS4非线性光学晶体的用途
- 一种非线性光学器件及其叠层制备工艺
- 用三硼酸锂单晶体制造的非线性光学器件
- 制造低损耗光有源器件的方法
