[发明专利]一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法有效

专利信息
申请号: 201911066635.0 申请日: 2019-11-04
公开(公告)号: CN110596231B 公开(公告)日: 2022-03-11
发明(设计)人: 梁帮宏;苏冬萍;罗婷;李顺涛;张劲松;陈云明;李兵 申请(专利权)人: 中国核动力研究设计院
主分类号: G01N27/64 分类号: G01N27/64
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 林菲菲
地址: 610000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法,依次包括:第一步、发射剂配制:配制测量所需发射剂,发射剂为碳纳米管混合悬浊液;第二步、样品加载:将样品和发射剂加载在铼带上并烘干,以单带方式安装插件;第三步、样品测量:热电离质谱仪设置为正离子模式,待检测离子为Hf+,样品带温度升至5.5~5.8A,待稳定后测量。本发明显著提高了离子发射效率,增强了离子流信号,提高了测量灵敏度,减弱了分馏效应,延长了信号平稳的时间,提高了测量结果的重复性和准确性。
搜索关键词: 一种 电离 质谱仪 测量 同位素 方法
【主权项】:
1.一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:/n步骤S1,发射剂配制:配制测量所需发射剂,发射剂为碳纳米管混合悬浊液;/n步骤S2,样品加载:将样品和发射剂加载在铼带上并烘干,以单带方式安装插件;/n步骤S3,样品测量:热电离质谱仪设置为正离子模式,待检测离子为Hf
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