[发明专利]一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法有效
申请号: | 201911066635.0 | 申请日: | 2019-11-04 |
公开(公告)号: | CN110596231B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | 梁帮宏;苏冬萍;罗婷;李顺涛;张劲松;陈云明;李兵 | 申请(专利权)人: | 中国核动力研究设计院 |
主分类号: | G01N27/64 | 分类号: | G01N27/64 |
代理公司: | 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 林菲菲 |
地址: | 610000 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: |
本发明公开了一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法,依次包括:第一步、发射剂配制:配制测量所需发射剂,发射剂为碳纳米管混合悬浊液;第二步、样品加载:将样品和发射剂加载在铼带上并烘干,以单带方式安装插件;第三步、样品测量:热电离质谱仪设置为正离子模式,待检测离子为Hf |
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搜索关键词: | 一种 电离 质谱仪 测量 同位素 方法 | ||
【主权项】:
1.一种热电离质谱仪测量铪同位素丰度的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:/n步骤S1,发射剂配制:配制测量所需发射剂,发射剂为碳纳米管混合悬浊液;/n步骤S2,样品加载:将样品和发射剂加载在铼带上并烘干,以单带方式安装插件;/n步骤S3,样品测量:热电离质谱仪设置为正离子模式,待检测离子为Hf
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