[发明专利]记忆体操作方法在审
| 申请号： | 201911045784.9 | 申请日： | 2019-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN111128276A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 吴昭谊;柯文昇;蔡劲;陈佑昇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本案揭示一种包括以下操作的记忆体操作方法。第一信号被施加到记忆体元件中的记忆体单元，以调整记忆体单元的电阻值。在施加第一信号之后，将第二信号施加到除第一记忆体单元之外的记忆体单元，以进一步调整除第一记忆体单元之外的此些记忆体单元的电阻值。在施加第二信号之后，对应于第一预定电阻值及第二预定电阻值的数据分别储存在第一记忆体单元及第二记忆体单元中。第一信号用于控制记忆体单元中的第一记忆体单元，以具有第一预定电阻值。第二信号用于控制记忆体单元中的第二记忆体单元，以具有第二预定电阻值。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆体 操作方法 | ||
【主权项】：
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