[发明专利]桥接式微纳结构传感单元的阵列传感器的制备方法及产品有效
| 申请号： | 201911034800.4 | 申请日： | 2019-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN110702753B | 公开（公告）日： | 2020-09-08 |
| 发明（设计）人： | 史铁林;林建斌;廖广兰;方涵;韩航迪 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微纳传感器制备领域，并具体公开了一种桥接式微纳结构传感单元的阵列传感器的制备方法及产品。所述方法包括：在基底表面制备多对需要桥接的指定形状的电极阵列，然后制备一层指定形状和厚度的种子层，接着在种子层表面外周除了桥接面制备一层钝化保护层，并对种子层进行热处理，以改善种子层的结晶性，最后采用溶液法定向生长微纳结构，使得多对所述电极阵列实现桥接。所述产品包括基底、电极阵列、种子层、钝化保护层以及微纳结构，微纳结构生长于种子层未覆盖钝化保护层的一面上，从而实现该对电极阵列的桥接。本发明制备的传感器具有灵敏度高、故障容差性强的特点，大幅度降低了传统桥接式微纳结构传感器敏感层之间的结电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 式微 结构 传感 单元 阵列 传感器 制备 方法 产品 | ||
【主权项】：
1.一种桥接式微纳结构传感单元的阵列传感器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1在基底表面刻画电极阵列图案，并在所述刻画有电极阵列图案的基底上制备多对需要桥接的指定形状的电极阵列(4)；/nS2在多对所述电极阵列(4)的上表面均制备一层指定形状和厚度的种子层(6)；/nS3在步骤S2中制备得到的种子层(6)表面外周制备一层钝化保护层(7)，其中，对于需要桥接的一对电极阵列(4)，该对电极阵列(4)上的种子层(6)相对的一面未覆盖钝化保护层(7)；/nS4对步骤S3中表面外周制备有钝化保护层(7)的种子层(6)进行热处理，以改善种子层(6)的结晶性，使得所述种子层(6)具有单晶取向特征；/nS5采用溶液法使得步骤S4中晶相改善的种子层(6)未覆盖钝化保护层(7)的一面定向生长微纳结构(8)，进而使得多对所述电极阵列(4)实现桥接，从而获取桥接式微纳传感单元结构阵列传感器。/n
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