[发明专利]C8-BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8-BTBT单晶膜的有机场效应晶体管有效
| 申请号： | 201911032433.4 | 申请日： | 2019-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN112736199B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 汪涛;胡文平;张小涛;任晓辰;牟麒;席悦 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H10K71/16 | 分类号： | H10K71/16;H10K10/46 |
| 代理公司： | 天津创智睿诚知识产权代理有限公司 12251 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种C8‑BTBT单晶膜及其制备方法、基于C8‑BTBT单晶膜的有机场效应晶体管，制备方法包括以下步骤：在载玻片上热蒸镀铝，形成铝层，对铝层采用阳极氧化方法，以使铝层形成一氧化铝层；将氧化铝层加热至40～60℃，在氧化铝层的上表面设置一刮刀，位于刮刀底端的刀刃与氧化铝层的上表面的距离为5‑20微米，在刮刀和氧化铝层之间滴加有机半导体溶液，以0.01～0.4mm/s的速度移动刮刀或载玻片，以使氧化铝层和刮刀发生相对移动，在刀刃经过的氧化铝层上得到C8‑BTBT单晶膜。本发明所得C8‑BTBT单晶膜进一步提升有机场效应晶体管的迁移率，而且降低了器件的亚阈值摆幅。 | ||
| 搜索关键词： | c8 btbt 单晶膜 及其 制备 方法 基于 有机 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津大学，未经天津大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201911032433.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：垃圾容器
- 下一篇：一种继电器控制方法及装置
