[发明专利]一种晶体生长装置以及晶体生长方法有效

专利信息
申请号: 201911010751.0 申请日: 2019-10-23
公开(公告)号: CN110670118B 公开(公告)日: 2021-12-10
发明(设计)人: 乔焜;高明哲;林岳明 申请(专利权)人: 上海玺唐半导体科技有限公司
主分类号: C30B7/14 分类号: C30B7/14;C30B29/40
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 201600 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种晶体生长装置以及晶体生长方法。晶体生长装置包括反应釜,所述反应釜包括:反应釜釜体,具有第一开口;衬管,用于通过所述第一开口放入所述反应釜釜体内,具有第二开口;所述衬管放入所述反应釜釜体内以后,所述第二开口朝向所述第一开口;所述衬管的内部区域包括原料区以及生长区,所述原料区用于放置原料,所述生长区用于放置籽晶;密封件,用于密封所述第一开口,且具有可以被密封的溶剂进孔,所述溶剂进孔用于向所述衬管内通入溶剂。利用本发明的晶体生长装置进行目标晶体的生长时,可以有效提高生产效率。
搜索关键词: 一种 晶体生长 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种晶体生长装置,其特征在于,包括反应釜装置,所述反应釜装置包括:/n反应釜釜体,具有第一开口;/n衬管,用于通过所述第一开口放入所述反应釜釜体内,具有第二开口;所述衬管的内部区域包括原料区以及生长区,所述原料区用于放置原料,所述生长区用于放置籽晶;/n密封件,用于密封所述第一开口,密封件上具有溶剂进孔,溶剂进孔用于由所述第二开口向所述衬管内通入溶剂。/n
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