[发明专利]一种低损耗红外高非线性光波导制备方法在审

专利信息
申请号: 201911008162.9 申请日: 2019-10-22
公开(公告)号: CN110727052A 公开(公告)日: 2020-01-24
发明(设计)人: 张斌;曾平羊;李朝晖;夏迪;杨泽林;宋景翠;朱莺 申请(专利权)人: 中山大学
主分类号: G02B6/136 分类号: G02B6/136;G02B6/13
代理公司: 44102 广州粤高专利商标代理有限公司 代理人: 王晓玲
地址: 510275 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及片上波导的微纳加工领域,特别是一种低损耗红外高非线性光波导制备方法。包括以下步骤:S1.分析硫系光波导在红外波段光波的传输特性;S2.分析电子束曝光各个参数及电子束胶种类对硫系波导制备的影响,选择合适的曝光参数及电子束胶种类进行掩膜版制备,并通过等离子体反应刻蚀,实现波导的制备;S3.其次,通过旋涂法实现聚合物包层的生长;S4.最终,结合包层热退火工艺重新对波导侧壁进行光滑化,并通过截断法进行损耗测试。本发明通过优化电子束曝光及调整等离子体反应的刻蚀参数,并结合热退火工艺,实现一种超低损耗的片上硫系波导制备,适合大规模的高非线性光子集成器件制备。
搜索关键词: 制备 波导 硫系 等离子体反应 电子束曝光 电子束胶 高非线性 热退火 光子集成器件 光波导制备 聚合物包层 波导侧壁 超低损耗 传输特性 红外波段 刻蚀参数 曝光参数 损耗测试 微纳加工 光波 低损耗 光波导 光滑化 旋涂法 掩膜版 截断 包层 刻蚀 分析 生长 优化
【主权项】:
1.一种低损耗红外高非线性光波导制备方法,其特征在于,包括以下步骤:/nS1.分析硫系光波导在红外波段光波的传输特性;/nS2.分析电子束曝光各个参数及电子束胶种类对硫系波导制备的影响,并通过等离子体反应刻蚀,实现波导的制备;/nS3.通过旋涂法实现聚合物包层的生长;/nS4.结合包层热退火工艺,将波导器件放置于退火炉中加热到超过硫系材料的玻璃化转变温度,从而使波导处于熔融状态,并在表面张力的作用下使其侧壁变的相对光滑,并通过截断法进行损耗测试。/n
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