[发明专利]具有熔断器可选择布线阵列的硅中介层有效
| 申请号： | 201911000779.6 | 申请日： | 2019-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN111081679B | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | B·K·施特雷特;O·R·费伊;仲野英一 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种具有熔断器可选择布线阵列的硅中介层。本发明揭示一种包含定位在硅衬底内的导电路径阵列或图案的硅中介层，其中所述衬底的外侧上具有多个引脚。所述引脚中的每一者连接到所述导电路径阵列的一部分。所述导电路径阵列可配置以提供经由所述导电路径阵列的一部分穿过所述衬底的第一电流路径或穿过所述衬底的第二电流路径。可定制穿过所述衬底的所述电流路径来测试各种裸片或芯片布局设计。可通过激光烧蚀所述导电路径的若干部分、沿着所述导电路径使熔断器熔断及/或致动连接到所述导电路径的逻辑门来定制穿过所述衬底的所述电流路径。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 熔断器 可选择 布线 阵列 中介 | ||
【主权项】：
暂无信息
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