[发明专利]非互易单光子量子存储器在审
| 申请号： | 201910934341.9 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN110570890A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 丁冬生;刘宗凯;董明新;史保森;郭光灿 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | G11C13/04 | 分类号： | G11C13/04;G02B27/28;H04B10/70 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张静 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种非互易单光子量子存储器，所述量子存储器包括：原子发生组件、第一光路组件、耦合光路组件以及第二光路组件；所述第一光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第一方向入射所述原子团的第一单光子；所述耦合光路组件用于产生耦合光，所述耦合光和所述第一单光子与所述原子团中原子能级满足电磁诱导透明条件，所述原子团存储该单光子；所述第二光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第二方向入射所述原子团的第二单光子；所述耦合光和所述第二单光子与所述原子团中原子能级不满足电磁诱导透明条件，所述原子团不存储该单光子。应用本发明提供的非互易单光子量子存储器，实现了单光子的非互易存储。 | ||
| 搜索关键词： | 单光子 原子团 光路组件 量子存储器 耦合光 电磁诱导透明 入射信号光 存储 原子能级 耦合光路 入射 发生组件 应用 | ||
【主权项】：
1.一种非互易单光子量子存储器，其特征在于，所述量子存储器包括：/n原子发生组件、第一光路组件、耦合光路组件以及第二光路组件；所述原子发生组件用于产生存储光子的原子团；/n在写入阶段，所述第一光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第一方向入射所述原子团的第一单光子，该第一单光子具有第一偏振方向，所述耦合光路组件用于产生耦合光，所述耦合光和所述第一单光子与所述原子团中原子能级满足电磁诱导透明条件，所述原子团存储该单光子；/n所述第二光路组件用于对入射信号光进行调节，形成沿第二方向入射所述原子团的第二单光子，该第二单光子具有第二偏振方向；所述第二方向与所述第一方向相反，所述第二偏振方向与所述第一偏振方向相反；在写入阶段，所述耦合光和所述第二单光子与所述原子团中原子能级不满足电磁诱导透明条件，所述原子团不存储该单光子。/n
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