[发明专利]一种含偶氮基团的聚对-羟基苯乙烯衍生物、其制备方法及其在抗反射涂层中的应用有效
申请号: | 201910883984.5 | 申请日: | 2019-09-19 |
公开(公告)号: | CN110590976B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 王力元;尤凤娟 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C08F8/30 | 分类号: | C08F8/30;C08F112/14;C09D125/18;G03F7/004 |
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地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种含偶氮基团的聚对‑羟基苯乙烯衍生物、其制备方法及其在光刻胶用抗反射涂层中的应用。以芳胺为起始原料,依次经过重氮化反应、与聚对‑羟基苯乙烯(PHS)的偶合反应得到高分子偶氮聚合物。具体包括:将芳胺溶于强酸水溶液中,加入亚硝酸钠水溶液反应得到重氮盐水溶液;将PHS溶于碱水中,加重氮盐溶液反应得到高分子偶氮聚合物;经酸化、过滤、洗涤和干燥得到侧链含偶氮基团的聚对‑羟基苯乙烯衍生物。这种聚合物不仅含有芳环、偶氮共轭基团,通过引入羰基、烷氧基等基团使其在紫外区有强的吸收;而且由于PHS的存在,使其与常用的以酚树脂为主体材料的紫外光刻胶具有良好的相容性。可作为光吸收剂应用于光刻胶用底部抗反射涂层中。 | ||
搜索关键词: | 一种 偶氮 基团 羟基 苯乙烯 衍生物 制备 方法 及其 反射 涂层 中的 应用 | ||
【主权项】:
1.一种含偶氮基团的聚对-羟基苯乙烯衍生物,具有如通式(I)所示的结构:/n
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