[发明专利]一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法在审
申请号: | 201910817967.1 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110373693A | 公开(公告)日: | 2019-10-25 |
发明(设计)人: | 何志刚 | 申请(专利权)人: | 上海戴丰科技有限公司 |
主分类号: | C25D5/12 | 分类号: | C25D5/12;C25D3/12;C25D3/32;H01P11/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201600 上海市松江区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法,包括以下步骤:1)晶圆级滤波器片表面电镀铜;2)电镀镍,所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸;3)电镀锡,所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸;通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后,电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工;有利于良率的提高,不仅节约能源和人工成本,更降低了生产成本。 | ||
搜索关键词: | 电镀镍 制备 滤波器电极 电镀锡 种晶 封装 配方 滤波器 硼酸 化学镍金处理 氨基磺酸镍 甲基磺酸锡 表面电镀 甲基磺酸 人工成本 制备过程 电镀铜 晶圆级 硫酸镍 氯化镍 良率 生产成本 节约 能源 加工 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:1)晶圆级滤波器片表面电镀铜;2)电镀镍,所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸;3)电镀锡,所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸。
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