[发明专利]一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法

说明书

本发明公开了一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，包括以下步骤：1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸；通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，更降低了生产成本。

技术领域

本发明涉及半导体电镀技术领域，具体涉及一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法。

背景技术

晶圆物理电镀制程是将晶圆安装在专用的电镀治具内，对晶圆通负电流进行金属沉积的工艺方法。化学镀镍金是靠化学镍和化学金药水自身的还原原理进行金属沉积的工艺。电镀铜至化学镍金的转移，需要将晶圆从电镀铜治具内取出，再装入化学镍金专用治具的生产过程。在此生产过程中，电镀铜和化学镍金制程，不属于同一个制程。制程站越多，不仅降低了良率，而且增加了人工成本和能源消耗。化学镍金制备过程中需要使用金氰化钾原料，金氰化钾是剧毒物，制备过程中增加了操作人员的使用风险。

现有滤波器电极制造方法是先切割成滤波器颗粒，再大量成堆倒入电镀滚筒内电镀，电镀镀层不稳定，良率较低。

为了解决上述问题，因此，亟待一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法的出现，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明的目的在于提供一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，包括以下步骤：

1)晶圆级滤波器片表面电镀铜；

2)电镀镍，所述电镀镍的配方为硫酸镍或氨基磺酸镍、氯化镍和硼酸；

3)电镀锡，所述电镀锡的配方为甲基磺酸锡和甲基磺酸。

本发明提供的一种晶圆级封装滤波器电极的制备方法，通过将化学镍金处理改成电镀镍锡制备过程后，电镀镍锡制备可以和电镀铜在同站进行加工制备；有利于良率的提高，不仅节约能源和人工成本，环境友好，更降低了生产成本。

在上述技术方案的基础上，本发明还可以作如下改进：

作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：

硫酸镍100～300g/L或

氨基磺酸镍100～300g/L；

氯化镍10-50g/L；

硼酸10-50g/L。

作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：

硫酸镍100～200g/L或

氨基磺酸镍100～200g/L；

氯化镍10-30g/L；

硼酸10-30g/L。

作为优选方案，步骤2)中所述电镀镍的配方包括以下质量浓度的化学组分：

硫酸镍200～300g/L或

氨基磺酸镍200～300g/L；

氯化镍30-50g/L；

硼酸30-50g/L。