[发明专利]半导体材料CuO@Ag的制备方法及应用在审
申请号: | 201910690805.6 | 申请日: | 2019-07-29 |
公开(公告)号: | CN110354866A | 公开(公告)日: | 2019-10-22 |
发明(设计)人: | 李志华;曹国炜;罗楠楠;郄元元;张敏 | 申请(专利权)人: | 山东师范大学 |
主分类号: | B01J23/89 | 分类号: | B01J23/89;C02F1/30;C02F101/38 |
代理公司: | 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 | 代理人: | 郑平 |
地址: | 250014 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明涉及半导体材料CuO@Ag的制备及应用,包括:将纳米材料CuO在超声条件下分散于含有Ag+离子及化合物的溶液中,使纳米CuO均匀分散,并保证纳米CuO对Ag+离子及化合物的吸附达到饱和;将上述溶液离心分离,将沉淀即吸附了Ag+离子及化合物的纳米CuO漂洗后搅拌分散在一定浓度的活化剂溶液中,充分反应一段时间,然后分离、漂洗、干燥,即得CuO@Ag纳米半导体复合材料。该方法操作简单,时间短,成本低,环境友好,重复性好,效率高,能快速有效的制备纳米半导体复合材料,具有普适性和规模生产价值。本发明制备的CuO@Ag纳米半导体复合材光降解甲基橙的效率,在光催化等领域具有广阔的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 制备 纳米半导体 纳米CuO 半导体材料 离子 复合材料 漂洗 吸附 应用 活化剂溶液 超声条件 规模生产 环境友好 搅拌分散 纳米材料 溶液离心 复合材 光催化 光降解 甲基橙 普适性 沉淀 饱和 保证 | ||
【主权项】:
1.一种半导体材料CuO@Ag的制备方法,其特征在于,包括:将纳米材料CuO分散于含有Ag离子的溶液中,待纳米材料CuO充分吸附Ag离子后,分离,形成CuO@Ag前驱体;将上述CuO@Ag前驱体分散于FeCl2或AlCl3溶液中,活化、分离、洗涤、干燥,即得。
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