[发明专利]一种P型晶体硅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种P型晶体硅电池的制备方法，解决了P型晶体硅背面载流子选择性结构电池的漏电问题。其包括如下步骤：B、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；C、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；D、在P型晶体硅片上的III族元素掺杂面上单面沉积氧化物膜；E、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理；F、对P型晶体硅片的非掺杂面单面进行制绒；G、在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；H、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理；I、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理；J、将经碱性溶液处理后的P型晶体硅片放入HF溶液中。

主权项

1.一种P型晶体硅电池的制备方法，其特征在于，依次包括如下步骤：/nA、对制绒后的P型晶体硅片进行背面刻蚀或抛光，保留正面的绒面；/nB、在P型晶体硅片的背面生长氧化物薄层；/nC、在氧化物薄层上沉积多晶硅层，并掺杂III族元素；/nD、在P型晶体硅片上的III族元素掺杂面上单面沉积氧化物膜；/nE、将P型晶体硅片上的III族元素掺杂面向上，以漂浮的方式放入第一溶液中处理，所述第一溶液包括HF、HNO₃、H₂SO₄中的至少一种；/nF、对P型晶体硅片的非掺杂面单面进行制绒；/nG、在P型晶体硅片的正面进行磷掺杂；/nH、将P型晶体硅片的磷掺杂面向上，以漂浮的方式放入第二溶液中处理，所述第二溶液包括HF、HNO₃、H₂SO₄中的至少一种；/nI、将经第二溶液处理后的P型晶体硅片放入碱性溶液中处理；/nJ、将经碱性溶液处理后的P型晶体硅片放入HF溶液中去除表面上的磷硅玻璃和III族硅玻璃；/nK、将P型晶体硅片的表面氧化；/nL、在P型晶体硅片上的III族扩散面沉积钝化层和减反射层，在磷扩散面沉积减反射层；/nM、进行金属化工艺形成正面金属电极和背面金属电极。/n