[发明专利]窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件有效
| 申请号： | 201910576069.1 | 申请日： | 2019-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN110408379B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 周健海;邵蕾;何洋 | 申请（专利权）人： | 纳晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310052 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种窄半峰宽量子点的制备方法、量子点以及量子点光电器件。其中，窄半峰宽量子点的制备方法，包括以下步骤：在220℃～310℃条件下，将硒前体与镉前体混合，反应后得到含有小尺寸CdSe的第一体系，第一体系中还包括未反应完的镉前体和硒前体；在220℃～310℃条件下，将硫前体或锌前体加入第一体系中，反应后得到含有窄半峰宽量子点的第二体系。本发明提供的量子点制备方法有利于提高量子点的组分均一性，减少量子点合成过程中的自成核现象，从而可获得窄半峰宽量子点。 | ||
| 搜索关键词： | 窄半峰宽 量子 制备 方法 以及 光电 器件 | ||
【主权项】：
1.一种窄半峰宽量子点的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：分别提供镉前体、硒前体以及第一硫前体；在220℃～310℃条件下，将所述硒前体与所述镉前体混合，反应后得到含有小尺寸CdSe的第一体系，所述第一体系中还包括未反应完的所述镉前体和所述硒前体；在220℃～310℃条件下，将所述第一硫前体加入所述第一体系中，反应后得到含有窄半峰宽量子点的第二体系。
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